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Transistor de Silicio NPN, 2-30 MHz, 12.5 Vcc, 12.5 Watt, 211-07.

Características Principales

  • Transistor NPN de silicio para aplicaciones RF
  • Frecuencia de operación entre 2 y 30 MHz
  • Manejo de potencia hasta 12.5 Watts
  • Voltaje de colector-emisor hasta 12.5 VCC
  • Encapsulado estándar 211-07 para fácil montaje
Especificaciones Técnicas
  • Tipo: Transistor de Silicio NPN
  • Rango de Frecuencia: 2-30 MHz
  • Voltaje: 12.5 Vcc
  • Potencia: 12.5 Watt
  • Encapsulado: 211-07
  • Transistor NPN de silicio para aplicaciones RF
  • Frecuencia de operación de 2 a 30 MHz
  • Potencia máxima de 12.5 Watts
  • Voltaje colector-emisor de 12.5 VCC
  • Encapsulado estándar 211-07 para fácil montaje
  • Diseñado para alta eficiencia en RF
Transistor de Silicio NPN, 2-30 MHz, 12.5 Vcc, 12.5 Watt, 211-07.
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