Características Principales
- Transistor NPN epitaxial de silicio
- Frecuencia máxima de operación 30 MHz
- Tensión de colector 13.5 Vcc
- Potencia máxima de salida 70 Watt
- Encapsulado formato T-40E
- Transistor NPN epitaxial de silicio
- Frecuencia máxima 30 MHz operación
- Tensión colector 13.5 Vcc estable
- Potencia salida 70 Watt alta eficiencia
- Encapsulado T-40E resistente industrial
- Ideal amplificación RF potencia